IRLB8748PBF vs IRFR2405TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLB8748PBF بواسطة Infineon و IRFR2405TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRLB8748PBF IRFR2405TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 92 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.8 mOhm 16 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC typical 70 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C 75 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C (junction) —
Package Type TO-220AB through-hole —
نوع التركيب Through Hole Surface Mount
Technology Family StrongIRFET / HEXFET —
Channel Type N-Channel —
Logic-Level Gate Drive Yes (optimized for 5V VGS) —
حالة RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant (Lead-Free PBF suffix)
Qualification Standard JEDEC (Industrial market per datasheet) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Technology — HEXFET (IR MOSFET)
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 56 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +175C
العلبة — TO-252AA (DPAK)
عدد الأطراف — 3 (Gate, Drain, Source) + Tab
مستوى MSL — 1
خالٍ من الهالوجين — [DATA_NEEDED: halogen-free status]
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر