IRLB8748PBF vs IRFR2405TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRLB8748PBF توسط Infineon و IRFR2405TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRLB8748PBF IRFR2405TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 92 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.8 mOhm 16 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC typical 70 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C 75 W —
محدوده دمای کاری -55C to +175C (junction) —
Package Type TO-220AB through-hole —
نوع نصب Through Hole Surface Mount
Technology Family StrongIRFET / HEXFET —
Channel Type N-Channel —
Logic-Level Gate Drive Yes (optimized for 5V VGS) —
وضعیت RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant (Lead-Free PBF suffix)
Qualification Standard JEDEC (Industrial market per datasheet) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Technology — HEXFET (IR MOSFET)
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 56 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
دمای اتصال کاری — -55C to +175C
بسته‌بندی — TO-252AA (DPAK)
تعداد پایه — 3 (Gate, Drain, Source) + Tab
سطح MSL — 1
بدون هالوژن — [DATA_NEEDED: halogen-free status]
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت