IRLB8748PBF vs IRFR2405TRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRLB8748PBF מאת Infineon ו IRFR2405TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRLB8748PBF IRFR2405TRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 92 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.8 mOhm 16 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC typical 70 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C 75 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +175C (junction) —
Package Type TO-220AB through-hole —
סוג הרכבה Through Hole Surface Mount
Technology Family StrongIRFET / HEXFET —
Channel Type N-Channel —
Logic-Level Gate Drive Yes (optimized for 5V VGS) —
סטטוס RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant (Lead-Free PBF suffix)
Qualification Standard JEDEC (Industrial market per datasheet) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Technology — HEXFET (IR MOSFET)
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 56 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55C to +175C
מארז — TO-252AA (DPAK)
מספר פינים — 3 (Gate, Drain, Source) + Tab
רמת MSL — 1
נטול הלוגנים — [DATA_NEEDED: halogen-free status]
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר