IRLML0030TRPBF vs IRLML6246TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLML0030TRPBF بواسطة Infineon و IRLML6246TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRLML0030TRPBF | IRLML6246TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 5.3 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 27 mOhm at VGS=4.5V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-level (5 V optimized) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 3.6 nC typical | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 1.3 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C | -55C to +150C (junction) |
| العلبة | Micro3 / SOT-23 (3-pin) | SOT-23 (Micro3) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR HEXFET Power MOSFET | IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET) |
| مستوى MSL | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Soldering | Wave-solder capable | — |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRLML6246TRPBF |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 4.1 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | 46 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 1.1 V (logic-level) |
| Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] |
| Power Dissipation (Ta=25C) | — | 1.3 W |
| RoHS Compliance | — | Yes (Pb-free) |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |