IRLR120NTRPBF vs IRFR220NTRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLR120NTRPBF بواسطة Infineon و IRFR220NTRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRLR120NTRPBF IRFR220NTRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (Fifth Generation, planar) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 10 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed Idm] —
Rds(on) Max at Vgs=10V 185 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 13.3 nC 15 nC (typical per Mouser listing)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 48 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C (junction) —
العلبة TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rating Fully avalanche rated —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free) —
مستوى MSL 1 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 5 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V — 600 milliohm
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C — 43 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55°C to +150°C
حالة RoHS — Compliant (PBF suffix)
Avalanche Energy Rated — Yes (fully characterized)
Lead-Free — Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر