IRLR2905TRPBF vs IRLR3636TRLPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLR2905TRPBF بواسطة Infineon و IRLR3636TRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRLR2905TRPBF | IRLR3636TRLPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) | IR HEXFET® (IR MOSFET™) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | [DATA_NEEDED: IDM rating] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 27 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | 1.0 V to 2.5 V (logic-level) |
| Gate Charge (Qg) | 32 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 110 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +175C | — |
| العلبة | TO-252AA (DPAK), surface mount | TO-252AA (DPAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Rated | Yes | Yes (per Infineon datasheet family) |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | Yes (PBF suffix) |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) | — | 50 A |
| Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) | — | 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating] |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 6.8 mΩ |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (QG) | — | 33 nC |
| Power Dissipation (PD, TC=25°C) | — | 143 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |