IRLR2905TRPBF vs IRLR3636TRLPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLR2905TRPBF tarafından Infineon ve IRLR3636TRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRLR2905TRPBF | IRLR3636TRLPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) | IR HEXFET® (IR MOSFET™) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | [DATA_NEEDED: IDM rating] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 27 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | 1.0 V to 2.5 V (logic-level) |
| Gate Charge (Qg) | 32 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 110 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55C to +175C | — |
| Paket | TO-252AA (DPAK), surface mount | TO-252AA (DPAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Rated | Yes | Yes (per Infineon datasheet family) |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | Yes (PBF suffix) |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) | — | 50 A |
| Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) | — | 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating] |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 6.8 mΩ |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (QG) | — | 33 nC |
| Power Dissipation (PD, TC=25°C) | — | 143 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |