IRLR2905TRPBF vs IRLR3636TRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLR2905TRPBF بذریعہ Infineon اور IRLR3636TRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRLPBF - 60V 99A N-Ch IR MOSFET, DPAK | Infineon

IRLR3636TRLPBF - 60V 99A N-Ch IR MOSFET, DPAK | Infineon

IRLR3636TRLPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLR2905TRPBF IRLR3636TRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) IR HEXFET® (IR MOSFET™)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: IDM rating]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 27 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] 1.0 V to 2.5 V (logic-level)
Gate Charge (Qg) 32 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C —
پیکیج TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes Yes (per Infineon datasheet family)
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant Yes (PBF suffix)
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Gate Drive Logic-level compatible —
Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) — 50 A
Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) — 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating]
RDS(on) Max @ VGS=10V — 6.8 mΩ
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Total Gate Charge (QG) — 33 nC
Power Dissipation (PD, TC=25°C) — 143 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 °C to +175 °C (TJ)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں