IRLTS2242TRPBF vs IRFR1205TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLTS2242TRPBF بواسطة Infineon و IRFR1205TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRLTS2242TRPBF | IRFR1205TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -20 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | -6.9 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.0 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V | 32 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS absolute max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | 2 V min, 4 V max |
| Gate Drive Voltage (logic level) | 4.5 V (fully enhanced), 2.5 V capable | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) |
| العلبة | TSOP-6 (Micro 6) | TO-252AA (DPAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (junction) | — |
| Package Thermal Resistance (RthJA) | [DATA_NEEDED: RthJA on 1 inch FR-4 PCB] | — |
| مستوى MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (PBF suffix = lead-free) |
| Lead-Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 44 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 160 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 27 mOhm max |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 43.3 nC |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | — | 107 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55C to +175C |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] |