IRLZ34NPBF vs IRFZ44NSTRLPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLZ34NPBF بواسطة Infineon و IRFZ44NSTRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRLZ34NPBF IRFZ44NSTRLPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
Part Number Suffix PBF = Lead-free (Pb-free), Tube packaging —
نوع الترانزستور N-Channel HEXFET Power MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C 30 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100 C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100 C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10 V 35 mOhm —
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=5 V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=5 V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 1.0 V to 2.0 V (logic-level) —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC (typical) 42 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25 C 68 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +175 C —
العلبة TO-220AB (through-hole, 3 leads + tab) D2PAK (TO-263)
نوع التركيب Through Hole Surface Mount
حالة RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
مستوى MSL Not applicable (through-hole) —
Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 49 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 17.5 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (TC) — 94 W
Power Dissipation (TA) — 3.8 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +175C
Technology — HEXFET
Lead-Free (PBF suffix) — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر