IRLZ34NPBF vs IRFZ44NSTRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLZ34NPBF tarafından Infineon ve IRFZ44NSTRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLZ34NPBF IRFZ44NSTRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
Part Number Suffix PBF = Lead-free (Pb-free), Tube packaging —
Transistor Türü N-Channel HEXFET Power MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C 30 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100 C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100 C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10 V 35 mOhm —
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=5 V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=5 V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 1.0 V to 2.0 V (logic-level) —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC (typical) 42 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25 C 68 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C —
Paket TO-220AB (through-hole, 3 leads + tab) D2PAK (TO-263)
Montaj Türü Through Hole Surface Mount
RoHS Durumu Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
MSL Seviyesi Not applicable (through-hole) —
Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 49 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 17.5 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (TC) — 94 W
Power Dissipation (TA) — 3.8 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C
Technology — HEXFET
Lead-Free (PBF suffix) — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin