IRLZ34NPBF vs IRFZ44NSTRLPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLZ34NPBF द्वारा Infineon और IRFZ44NSTRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF - 55V 30A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLZ34NPBF - 55V 30A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLZ34NPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF - 55V 49A N-Channel HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRFZ44NSTRLPBF - 55V 49A N-Channel HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRFZ44NSTRLPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRLZ34NPBF IRFZ44NSTRLPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
Part Number Suffix PBF = Lead-free (Pb-free), Tube packaging —
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel HEXFET Power MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C 30 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100 C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100 C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10 V 35 mOhm —
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=5 V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=5 V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 1.0 V to 2.0 V (logic-level) —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC (typical) 42 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25 C 68 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55 C to +175 C —
पैकेज TO-220AB (through-hole, 3 leads + tab) D2PAK (TO-263)
माउंटिंग प्रकार Through Hole Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
MSL स्तर Not applicable (through-hole) —
Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 49 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 17.5 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (TC) — 94 W
Power Dissipation (TA) — 3.8 W
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55C to +175C
Technology — HEXFET
Lead-Free (PBF suffix) — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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