IRS2005STRPBF vs IR21271STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2005STRPBF بواسطة Infineon و IR21271STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2005STRPBF IR21271STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Half-Bridge Gate Driver —
Driven Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) —
Channel Type Independent —
عدد المخارج 2 1
Logic Type Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage (High-Side) 200 V —
Peak Source Current (typ.) 0.29 A —
Peak Sink Current (typ.) 0.6 A —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range min/max] 9 V to 20 V
Undervoltage Lockout VCC and VBS UVLO integrated —
Input Compatibility 3.3 V / 5 V logic-level inputs —
العلبة / الحالة 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 °C to +125 °C —
Packaging Tape & Reel (TR) —
Product Status Active —
حالة RoHS Compliant (PBF suffix indicates Pb-free) —
Configuration — High-Side or Low-Side
Input Polarity — Non-Inverting
High-Side Offset Voltage — 600 V max
Peak Source Current — 250 mA
Peak Sink Current — 500 mA
Propagation Delay — 200 ns typical
زمن الصعود — [DATA_NEEDED: rise time]
زمن السقوط — [DATA_NEEDED: fall time]
درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
العلبة — 8-SOIC (3.90 mm)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-Free, suffix PBF)
Integrated Current Sense — Yes (CS pin + shutdown)
dV/dt Immunity — Yes
Negative Transient Tolerance — Yes (high-side rail)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر