IRS2005STRPBF vs IR21271STRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRS2005STRPBF توسط Infineon و IR21271STRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRS2005STRPBF IR21271STRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
عملکرد Half-Bridge Gate Driver —
Driven Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) —
Channel Type Independent —
تعداد خروجی‌ها 2 1
Logic Type Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage (High-Side) 200 V —
Peak Source Current (typ.) 0.29 A —
Peak Sink Current (typ.) 0.6 A —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range min/max] 9 V to 20 V
Undervoltage Lockout VCC and VBS UVLO integrated —
Input Compatibility 3.3 V / 5 V logic-level inputs —
بسته‌بندی / کیس 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -40 °C to +125 °C —
Packaging Tape & Reel (TR) —
Product Status Active —
وضعیت RoHS Compliant (PBF suffix indicates Pb-free) —
Configuration — High-Side or Low-Side
Input Polarity — Non-Inverting
High-Side Offset Voltage — 600 V max
Peak Source Current — 250 mA
Peak Sink Current — 500 mA
Propagation Delay — 200 ns typical
زمان صعود — [DATA_NEEDED: rise time]
زمان افت — [DATA_NEEDED: fall time]
دمای کاری — -40C to +125C
بسته‌بندی — 8-SOIC (3.90 mm)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-Free, suffix PBF)
Integrated Current Sense — Yes (CS pin + shutdown)
dV/dt Immunity — Yes
Negative Transient Tolerance — Yes (high-side rail)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت