IRS2005STRPBF vs IR21271STRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRS2005STRPBF द्वारा Infineon और IR21271STRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRS2005STRPBF IRS2005STRPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IRS2005STRPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IRS2005STRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IR21271STRPBF IR21271STRPBF - 600V Current-Sense High-Side Driver | Infineon

IR21271STRPBF - 600V Current-Sense High-Side Driver | Infineon

IR21271STRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRS2005STRPBF IR21271STRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
फ़ंक्शन Half-Bridge Gate Driver —
Driven Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) —
Channel Type Independent —
आउटपुट की संख्या 2 1
Logic Type Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage (High-Side) 200 V —
Peak Source Current (typ.) 0.29 A —
Peak Sink Current (typ.) 0.6 A —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range min/max] 9 V to 20 V
Undervoltage Lockout VCC and VBS UVLO integrated —
Input Compatibility 3.3 V / 5 V logic-level inputs —
पैकेज / केस 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40 °C to +125 °C —
Packaging Tape & Reel (TR) —
Product Status Active —
RoHS स्थिति Compliant (PBF suffix indicates Pb-free) —
Configuration — High-Side or Low-Side
Input Polarity — Non-Inverting
High-Side Offset Voltage — 600 V max
Peak Source Current — 250 mA
Peak Sink Current — 500 mA
Propagation Delay — 200 ns typical
राइज़ टाइम — [DATA_NEEDED: rise time]
फॉल टाइम — [DATA_NEEDED: fall time]
ऑपरेटिंग तापमान — -40C to +125C
पैकेज — 8-SOIC (3.90 mm)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-Free, suffix PBF)
Integrated Current Sense — Yes (CS pin + shutdown)
dV/dt Immunity — Yes
Negative Transient Tolerance — Yes (high-side rail)

डेटाशीट और संसाधन

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