IRS2011STRPBF vs IR2114SSPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2011STRPBF بواسطة Infineon و IR2114SSPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRS2011STRPBF | IR2114SSPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| الوظيفة | Half-Bridge Gate Driver | — |
| Configuration | High-Side and Low-Side, Independent Channels | Half-bridge gate driver |
| عدد المخارج | 2 | 2 (high-side + low-side) |
| Maximum Offset Voltage (High-Side) | 200 V | — |
| Output Current (Source / Sink) | 1 A typical / 1 A typical | — |
| Propagation Delay (ton/toff) | 60 ns typical | — |
| Delay Matching | 20 ns maximum | — |
| Logic Input Compatibility | 3.3 V CMOS / LSTTL | — |
| Bootstrap Supply | Integrated bootstrap diode, floating channel | — |
| Supply Voltage (VCC) | 10 V to 20 V | — |
| Negative Transient Tolerance | Yes, dV/dt immune | — |
| العلبة | 8-SOIC (DSO-8) | 24-SSOP (7.80 mm wide, 1.75 mm height) |
| درجة حرارة التشغيل | -40 C to +125 C | -40 C to +125 C |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant (PBF suffix) | Compliant |
| Suitable Drivers | MOSFETs and IGBTs | — |
| البنية الطوبولوجية | — | Non-inverting |
| Offset (high-side) Voltage (max) | — | 600 V |
| Gate Drive Supply (VCC) | — | 10 V to 20 V |
| Logic Supply (VDD) | — | 10 V to 20 V |
| Bootstrap Supply (VBS) | — | 10 V to 25 V (with respect to VS) |
| Source Current (typ.) | — | 2 A |
| Sink Current (typ.) | — | 3 A |
| Rise / Fall Time (typ.) | — | [DATA_NEEDED: rise/fall time] |
| Propagation Delay (typ.) | — | 50 ns |
| Input Logic Compatibility | — | 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL |
| UVLO Thresholds | — | VCC and VBS, internally set |
| Integrated Bootstrap Diode | — | Yes |
| Over-Current Shutdown | — | Yes (programmable, with FAULT output) |