IRS2011STRPBF vs IR2114SSPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRS2011STRPBF מאת Infineon ו IR2114SSPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRS2011STRPBF IR2114SSPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
פונקציה Half-Bridge Gate Driver —
Configuration High-Side and Low-Side, Independent Channels Half-bridge gate driver
מספר יציאות 2 2 (high-side + low-side)
Maximum Offset Voltage (High-Side) 200 V —
Output Current (Source / Sink) 1 A typical / 1 A typical —
Propagation Delay (ton/toff) 60 ns typical —
Delay Matching 20 ns maximum —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL —
Bootstrap Supply Integrated bootstrap diode, floating channel —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Negative Transient Tolerance Yes, dV/dt immune —
מארז 8-SOIC (DSO-8) 24-SSOP (7.80 mm wide, 1.75 mm height)
טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C -40 C to +125 C
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant
Suitable Drivers MOSFETs and IGBTs —
טופולוגיה — Non-inverting
Offset (high-side) Voltage (max) — 600 V
Gate Drive Supply (VCC) — 10 V to 20 V
Logic Supply (VDD) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 25 V (with respect to VS)
Source Current (typ.) — 2 A
Sink Current (typ.) — 3 A
Rise / Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
Propagation Delay (typ.) — 50 ns
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL
UVLO Thresholds — VCC and VBS, internally set
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Over-Current Shutdown — Yes (programmable, with FAULT output)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר