IRS2011STRPBF vs IR2114SSPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRS2011STRPBF توسط Infineon و IR2114SSPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRS2011STRPBF IR2114SSPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
عملکرد Half-Bridge Gate Driver —
Configuration High-Side and Low-Side, Independent Channels Half-bridge gate driver
تعداد خروجی‌ها 2 2 (high-side + low-side)
Maximum Offset Voltage (High-Side) 200 V —
Output Current (Source / Sink) 1 A typical / 1 A typical —
Propagation Delay (ton/toff) 60 ns typical —
Delay Matching 20 ns maximum —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL —
Bootstrap Supply Integrated bootstrap diode, floating channel —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Negative Transient Tolerance Yes, dV/dt immune —
بسته‌بندی 8-SOIC (DSO-8) 24-SSOP (7.80 mm wide, 1.75 mm height)
دمای کاری -40 C to +125 C -40 C to +125 C
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant
Suitable Drivers MOSFETs and IGBTs —
توپولوژی — Non-inverting
Offset (high-side) Voltage (max) — 600 V
Gate Drive Supply (VCC) — 10 V to 20 V
Logic Supply (VDD) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 25 V (with respect to VS)
Source Current (typ.) — 2 A
Sink Current (typ.) — 3 A
Rise / Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
Propagation Delay (typ.) — 50 ns
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL
UVLO Thresholds — VCC and VBS, internally set
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Over-Current Shutdown — Yes (programmable, with FAULT output)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت