IRS21091STRPBF vs IR2101STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS21091STRPBF بواسطة Infineon و IR2101STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS21091STRPBF IR2101STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration Half-Bridge Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent
Number of Drivers 2 2
Driven Channels High-Side and Low-Side, Synchronous —
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET —
Logic Input Compatibility CMOS or LSTTL, down to 3.3 V 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL
Output Polarity Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Channel Offset Voltage up to +600 V —
Negative Transient Tolerance Yes, dV/dt immune —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.6 A —
Propagation Delay (typ.) 750 ns —
Deadtime Control Programmable —
Shutdown Pin Yes —
العلبة 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width) 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width)
Packaging Tape & Reel —
حالة RoHS Compliant Compliant
Driver Type — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (Typ.) — 210 mA
Sink Current (Typ.) — 360 mA
Propagation Delay (Typ.) — 160 ns
Rise Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: fall time]
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Negative Transient Immunity on VS — Yes (dV/dt immune)
نوع التركيب — Surface Mount
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
مستوى MSL — MSL 3

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر