IRS21091STRPBF vs IR2101STRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRS21091STRPBF توسط Infineon و IR2101STRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRS21091STRPBF IR2101STRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Configuration Half-Bridge Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent
Number of Drivers 2 2
Driven Channels High-Side and Low-Side, Synchronous —
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET —
Logic Input Compatibility CMOS or LSTTL, down to 3.3 V 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL
Output Polarity Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Channel Offset Voltage up to +600 V —
Negative Transient Tolerance Yes, dV/dt immune —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.6 A —
Propagation Delay (typ.) 750 ns —
Deadtime Control Programmable —
Shutdown Pin Yes —
بسته‌بندی 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width) 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width)
Packaging Tape & Reel —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Driver Type — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (Typ.) — 210 mA
Sink Current (Typ.) — 360 mA
Propagation Delay (Typ.) — 160 ns
Rise Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: fall time]
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Negative Transient Immunity on VS — Yes (dV/dt immune)
نوع نصب — Surface Mount
دمای کاری — -40 C to +125 C
سطح MSL — MSL 3

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت