ISC009N06LM5ATMA1 vs ISC011N06LM5ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC009N06LM5ATMA1 بواسطة Infineon و ISC011N06LM5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISC009N06LM5ATMA1 | ISC011N06LM5ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Technology | OptiMOS 5 60V N-channel trench MOSFET | OptiMOS 5 |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 41 A | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 348 A | 288 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS threshold typical] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 0.9 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta (PD) | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc (PD) | 214 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +175 C | -55C to +175C |
| العلبة | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Part Number | — | ISC011N06LM5ATMA1 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 188 W |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 1.15 mOhm |
| عدد الأطراف | — | 8 |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |