ISC009N06LM5ATMA1 vs ISC011N06LM5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC009N06LM5ATMA1 tarafından Infineon ve ISC011N06LM5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC009N06LM5ATMA1 | ISC011N06LM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Technology | OptiMOS 5 60V N-channel trench MOSFET | OptiMOS 5 |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 41 A | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 348 A | 288 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS threshold typical] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 0.9 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta (PD) | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc (PD) | 214 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C | -55C to +175C |
| Paket | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Part Number | — | ISC011N06LM5ATMA1 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 188 W |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 1.15 mOhm |
| Pin Sayısı | — | 8 |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |