ISC011N06LM5ATMA1 vs IPT067N20NM6ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC011N06LM5ATMA1 بواسطة Infineon و IPT067N20NM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ISC011N06LM5ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number ISC011N06LM5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 Trench-gate OptiMOS 6 silicon
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 37 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 288 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 188 W —
RDS(on) max at VGS=10V 1.15 mOhm —
العلبة PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) PG-HSOF-8-1 (8-pin + exposed tab)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 8 —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C -55C to +150C (junction)
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Product Family — OptiMOS 6
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 15.3 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 137 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
On-Resistance RDS(on) typ — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Lead-Free — Yes
Configuration — Single N-channel

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر