ISC015N04NM5ATMA1 vs ISC080N10NM6ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC015N04NM5ATMA1 بواسطة Infineon و ISC080N10NM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ISC015N04NM5ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 40V Normal Level —
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.4 V (typ) 3.3 V at 36 µA
R_DS(on) max 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 33 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 206 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 115 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet)
العلبة / الحالة PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 8 —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 (per Infineon SuperSO8 family) 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet)
Drive Level Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) —
Product Family — OptiMOS™ 6 100V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 75 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 100 W
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A — 8.05 mΩ
العلبة — PG-TDSON-8 FL (TDSON EP)
Lead-Free — Yes
خالٍ من الهالوجين — Yes
Qualification — Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر