ISC015N04NM5ATMA1 vs ISC080N10NM6ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC015N04NM5ATMA1 tarafından Infineon ve ISC080N10NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC015N04NM5ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 40V Normal Level —
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.4 V (typ) 3.3 V at 36 µA
R_DS(on) max 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 33 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 206 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 115 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet)
Paket / Kas PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 8 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per Infineon SuperSO8 family) 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet)
Drive Level Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) —
Product Family — OptiMOS™ 6 100V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 75 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 100 W
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A — 8.05 mΩ
Paket — PG-TDSON-8 FL (TDSON EP)
Lead-Free — Yes
Klorürsüz — Yes
Qualification — Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin