ISC015N06NM5ATMA1 vs BSC028N06NSTATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC015N06NM5ATMA1 بواسطة Infineon و BSC028N06NSTATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ISC015N06NM5ATMA1 BSC028N06NSTATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 33 A 24 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C 259 A —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 1.5 mOhm —
Total Power Dissipation (TA) 3 W —
Total Power Dissipation (TC) 188 W —
العلبة PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down PG-TDSON-8-7 (SuperSO8, 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) MOSFET N-Channel (OptiMOS 5)
حالة RoHS Compliant Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) 1 —
Series — OptiMOS 5
Part Number Base — BSC028N06NS
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V to 3.5 V
Total Gate Charge Qg — 37 nC @ VGS=10V
Input Capacitance Ciss — 3000 nC [DATA_NEEDED: confirm exact pF from datasheet]
Output Capacitance Coss — 825 pF
Reverse Transfer Capacitance Crss — 56 pF
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 100 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +175C
خالٍ من الهالوجين — Yes
مستوى MSL — 1
AEC-Q101 Automotive Qualified — [DATA_NEEDED: confirm from datasheet - this is the NS base, automotive grade may differ]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر