ISC015N06NM5ATMA1 vs BSC028N06NSTATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار ISC015N06NM5ATMA1 توسط Infineon و BSC028N06NSTATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | ISC015N06NM5ATMA1 | BSC028N06NSTATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 33 A | 24 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | 259 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | 1.5 mOhm | — |
| Total Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Total Power Dissipation (TC) | 188 W | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | -55 C to +175 C | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | MOSFET N-Channel (OptiMOS 5) |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | 1 | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Part Number Base | — | BSC028N06NS |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.8 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.5 V to 3.5 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 37 nC @ VGS=10V |
| Input Capacitance Ciss | — | 3000 nC [DATA_NEEDED: confirm exact pF from datasheet] |
| Output Capacitance Coss | — | 825 pF |
| Reverse Transfer Capacitance Crss | — | 56 pF |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 100 W |
| دمای اتصال کاری | — | -55C to +175C |
| بدون هالوژن | — | Yes |
| سطح MSL | — | 1 |
| AEC-Q101 Automotive Qualified | — | [DATA_NEEDED: confirm from datasheet - this is the NS base, automotive grade may differ] |