ISC028N03LF2SATMA1 vs ISC015N06NM5LF2ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC028N03LF2SATMA1 بواسطة Infineon و ISC015N06NM5LF2ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ISC028N03LF2SATMA1 ISC015N06NM5LF2ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 30V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 128 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.8 mOhm 1.55 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.35 V —
Power Dissipation at TA 3 W —
Power Dissipation at TC 83 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C
العلبة PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad PG-TDSON-8 FL (5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
RoHS / Lead-Free Yes (RoHS compliant) —
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Technology — OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 32 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 275 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 217 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.3 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V
Gate-Source Voltage Rating — ±20 V
Reverse Recovery Charge (Qrr) — 1.3 nC
Input Capacitance (Ciss) — 6.9 nF
Output Capacitance (Coss) — 1.3 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 55 pF
Total Gate Charge (Qg) — 90 nC
RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر