ISC028N03LF2SATMA1 vs ISC015N06NM5LF2ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC028N03LF2SATMA1 tarafından Infineon ve ISC015N06NM5LF2ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC028N03LF2SATMA1 ISC015N06NM5LF2ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 30V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 128 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.8 mOhm 1.55 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.35 V —
Power Dissipation at TA 3 W —
Power Dissipation at TC 83 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C
Paket PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad PG-TDSON-8 FL (5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS / Lead-Free Yes (RoHS compliant) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Technology — OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 32 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 275 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 217 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.3 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V
Gate-Source Voltage Rating — ±20 V
Reverse Recovery Charge (Qrr) — 1.3 nC
Input Capacitance (Ciss) — 6.9 nF
Output Capacitance (Coss) — 1.3 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 55 pF
Total Gate Charge (Qg) — 90 nC
RoHS — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin