ISC028N03LF2SATMA1 vs ISC024N08NM7ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC028N03LF2SATMA1 بواسطة Infineon و ISC024N08NM7ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISC028N03LF2SATMA1 | ISC024N08NM7ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 30V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 128 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 2.8 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.35 V | — |
| Power Dissipation at TA | 3 W | — |
| Power Dissipation at TC | 83 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 C to +175 C | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS / Lead-Free | Yes (RoHS compliant) | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 167 A |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25C | — | 3 W |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 150 W |
| العلبة / الحالة | — | PG-TDSON-8 (SSO8) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +175 C |
| Gate Threshold Voltage (typ) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Rds(on) at Vgs=10V (typ) | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) typical value] |
| Total Gate Charge Qg (typ) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| Technology | — | OptiMOS 7 trench MOSFET |