ISC028N03LF2SATMA1 vs ISC024N08NM7ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de ISC028N03LF2SATMA1 por Infineon e ISC024N08NM7ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | ISC028N03LF2SATMA1 | ISC024N08NM7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,86 | $1,02 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 30V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 128 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 2.8 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.35 V | — |
| Power Dissipation at TA | 3 W | — |
| Power Dissipation at TC | 83 W | — |
| Temperatura de junção de operação | -55 C to +175 C | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS / Lead-Free | Yes (RoHS compliant) | — |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 167 A |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25C | — | 3 W |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 150 W |
| Encapsulamento / Caixa | — | PG-TDSON-8 (SSO8) |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55 C to +175 C |
| Gate Threshold Voltage (typ) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Rds(on) at Vgs=10V (typ) | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) typical value] |
| Total Gate Charge Qg (typ) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Livre de halogênio | — | Yes |
| Technology | — | OptiMOS 7 trench MOSFET |