ISC028N03LF2SATMA1 vs ISC024N08NM7ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC028N03LF2SATMA1 tarafından Infineon ve ISC024N08NM7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC028N03LF2SATMA1 ISC024N08NM7ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 30V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 128 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.35 V —
Power Dissipation at TA 3 W —
Power Dissipation at TC 83 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C —
Paket PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS / Lead-Free Yes (RoHS compliant) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Series — OptiMOS 7
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 80 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 24 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 167 A
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C — 3 W
Power Dissipation (Pd) at Tc — 150 W
Paket / Kas — PG-TDSON-8 (SSO8)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C
Gate Threshold Voltage (typ) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Rds(on) at Vgs=10V (typ) — [DATA_NEEDED: Rds(on) typical value]
Total Gate Charge Qg (typ) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
RoHS Durumu — Compliant
Klorürsüz — Yes
Technology — OptiMOS 7 trench MOSFET

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin