ISC058N04NM5ATMA1 vs IPT067N20NM6ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC058N04NM5ATMA1 بواسطة Infineon و IPT067N20NM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ISC058N04NM5ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 40V Normal Level OptiMOS 6
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 200 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 63 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 17 A —
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A 5.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.4 V —
Power Dissipation (TA=25C) 3 W —
Power Dissipation (TC=25C) 42 W —
العلبة PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-HSOF-8-1 (8-pin + exposed tab)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET Trench-gate OptiMOS 6 silicon
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C -55C to +150C (junction)
RoHS Compliance RoHS Compliant —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL per JEDEC J-STD-020 —
Gate Drive Level Normal Level (10V VGS recommended) —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 15.3 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 137 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
On-Resistance RDS(on) typ — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
حالة RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]
Configuration — Single N-channel

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر