ISC0703NLSATMA1 vs ISC080N10NM6ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC0703NLSATMA1 بواسطة Infineon و ISC080N10NM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ISC0703NLSATMA1 ISC080N10NM6ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 57 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 44 W —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS family) —
العلبة PG-TDSON-8 (5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (TDSON EP)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet)
Standard Package Quantity 5,000 (reel) —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet)
حالة RoHS Compliant Compliant
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] 3.3 V at 36 µA
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS rating] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS™ 6 100V
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 75 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 100 W
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A — 8.05 mΩ
Lead-Free — Yes
خالٍ من الهالوجين — Yes
Qualification — Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر