ISC0802NLSATMA1 vs IAUC60N04S6N044ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC0802NLSATMA1 بواسطة Infineon و IAUC60N04S6N044ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
ISC0802NLSATMA1 ISC0802NLSATMA1 - 100V 150A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC0802NLSATMA1 - 100V 150A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC0802NLSATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل ISC0802NLSATMA1 IAUC60N04S6N044ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 —
Part Number ISC0802NLSATMA1 —
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (Power MOSFET) OptiMOS-6 N-channel trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 150 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 22 A —
RDS(on) max at VGS=10V 3.6 mOhm —
Power Dissipation (Pd) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (Pd) at Tc 125 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C —
العلبة PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 (5x6 mm) with exposed pad
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Gate-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: max V_GS rating]
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25°C — 60 A
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=100°C — [DATA_NEEDED: pulsed/current derated value]
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance R_DS(on) max @ V_GS=10V — 4.4 mΩ
On-Resistance R_DS(on) max @ V_GS=4.5V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS=4.5V]
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: typical gate charge]
Power Dissipation (P_D) at Tc=25°C — 42 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55°C to +175°C
مستوى MSL — 1 (unlimited)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified (IAUC prefix)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر