ISC0802NLSATMA1 vs IAUC60N04S6N044ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC0802NLSATMA1 por Infineon e IAUC60N04S6N044ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC0802NLSATMA1 IAUC60N04S6N044ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,80 $0,98
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 —
Part Number ISC0802NLSATMA1 —
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (Power MOSFET) OptiMOS-6 N-channel trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 150 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 22 A —
RDS(on) max at VGS=10V 3.6 mOhm —
Power Dissipation (Pd) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (Pd) at Tc 125 W —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 (5x6 mm) with exposed pad
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Gate-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: max V_GS rating]
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25°C — 60 A
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=100°C — [DATA_NEEDED: pulsed/current derated value]
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance R_DS(on) max @ V_GS=10V — 4.4 mΩ
On-Resistance R_DS(on) max @ V_GS=4.5V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS=4.5V]
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: typical gate charge]
Power Dissipation (P_D) at Tc=25°C — 42 W
Temperatura de junção de operação — -55°C to +175°C
Nível MSL — 1 (unlimited)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified (IAUC prefix)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status]

Fichas técnicas e recursos

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