ISC0805NLSATMA1 vs ISC110N12NM6ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC0805NLSATMA1 بواسطة Infineon و ISC110N12NM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISC0805NLSATMA1 | ISC110N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS™ 5 | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 13 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 71 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 74 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 10.7 mΩ at 4.5V VGS; [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V] | 9.8 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | 10.7 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.3 V | — |
| Gate Charge Qg typ at VGS=4.5V | 16 nC | — |
| Input Capacitance Ciss | 2.2 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance Crss | 23 pF | — |
| Output Capacitance Coss | 360 pF | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-46 (SuperSO8 5x6) | SuperSO8 (TDSON-8) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +150 °C | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Polarity | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 11 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 62 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 3.1 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 15.4 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 1.1 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 330 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 10 pF |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 94 W |
| Power Dissipation (Pd) at Ta | — | 3 W |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 185 mJ |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 °C to +175 °C |