ISC0805NLSATMA1 vs ISC110N12NM6ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của ISC0805NLSATMA1 bằng Infineon và ISC110N12NM6ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
ISC0805NLSATMA1 ISC0805NLSATMA1 - 100V 71A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

ISC0805NLSATMA1 - 100V 71A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

ISC0805NLSATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
ISC110N12NM6ATMA1 ISC110N12NM6ATMA1 - 120V 9.8mΩ OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISC110N12NM6ATMA1 - 120V 9.8mΩ OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISC110N12NM6ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số ISC0805NLSATMA1 ISC110N12NM6ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS™ 5 —
Kiểu transitor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 71 A —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 74 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 10.7 mΩ at 4.5V VGS; [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V] 9.8 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V 10.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.3 V —
Gate Charge Qg typ at VGS=4.5V 16 nC —
Input Capacitance Ciss 2.2 nF —
Reverse Transfer Capacitance Crss 23 pF —
Output Capacitance Coss 360 pF —
Hộp PG-TDSON-8-46 (SuperSO8 5x6) SuperSO8 (TDSON-8)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 °C to +150 °C —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 11 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 62 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.1 V
Total Gate Charge (Qg) — 15.4 nC
Input Capacitance (Ciss) — 1.1 nF
Output Capacitance (Coss) — 330 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 10 pF
Power Dissipation (Pd) at Tc — 94 W
Power Dissipation (Pd) at Ta — 3 W
Avalanche Energy (EAS) — 185 mJ
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55 °C to +175 °C

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá