ISC0805NLSATMA1 vs ISC110N12NM6ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC0805NLSATMA1 tarafından Infineon ve ISC110N12NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC0805NLSATMA1 ISC110N12NM6ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS™ 5 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 71 A —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 74 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 10.7 mΩ at 4.5V VGS; [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V] 9.8 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V 10.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.3 V —
Gate Charge Qg typ at VGS=4.5V 16 nC —
Input Capacitance Ciss 2.2 nF —
Reverse Transfer Capacitance Crss 23 pF —
Output Capacitance Coss 360 pF —
Paket PG-TDSON-8-46 (SuperSO8 5x6) SuperSO8 (TDSON-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 11 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 62 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.1 V
Total Gate Charge (Qg) — 15.4 nC
Input Capacitance (Ciss) — 1.1 nF
Output Capacitance (Coss) — 330 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 10 pF
Power Dissipation (Pd) at Tc — 94 W
Power Dissipation (Pd) at Ta — 3 W
Avalanche Energy (EAS) — 185 mJ
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin