ISC088N08NM6ATMA1 vs IQE036N08NM6CGATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC088N08NM6ATMA1 بواسطة Infineon و IQE036N08NM6CGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
ISC088N08NM6ATMA1 ISC088N08NM6ATMA1 - 80V 8.8mOhm N-Channel MOSFET | Infineon

ISC088N08NM6ATMA1 - 80V 8.8mOhm N-Channel MOSFET | Infineon

ISC088N08NM6ATMA1 ✓ نشط
Infineon
IQE036N08NM6CGATMA1 IQE036N08NM6CGATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل ISC088N08NM6ATMA1 IQE036N08NM6CGATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 OptiMOS 6
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 C 12.1 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C 59 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V 8.8 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (PD) at Ta=25 C 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25 C 71 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +175 C —
العلبة PG-TDSON-8 FL PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
حالة RoHS Compliant (per distributor listings) Compliant
Technology Trench-gate OptiMOS 6 Trench MOSFET, OptiMOS 6
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) — 80 V
Gate-Source Voltage (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max]
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 118 A
Continuous Drain Current (Id) at Ta — 16.7 A
Rds(on) max at Vgs=10V — 3.6 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 3.5 V (max)
Power Dissipation at Tc — 125 W
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 C to +175 C (junction, Tj)
Configuration — Single N-channel, Source-Down

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر