ISC088N08NM6ATMA1 vs IQE036N08NM6CGATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC088N08NM6ATMA1 द्वारा Infineon और IQE036N08NM6CGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
ISC088N08NM6ATMA1 ISC088N08NM6ATMA1 - 80V 8.8mOhm N-Channel MOSFET | Infineon

ISC088N08NM6ATMA1 - 80V 8.8mOhm N-Channel MOSFET | Infineon

ISC088N08NM6ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IQE036N08NM6CGATMA1 IQE036N08NM6CGATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर ISC088N08NM6ATMA1 IQE036N08NM6CGATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 OptiMOS 6
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 C 12.1 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C 59 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V 8.8 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (PD) at Ta=25 C 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25 C 71 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55 C to +175 C —
पैकेज PG-TDSON-8 FL PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL level] MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS स्थिति Compliant (per distributor listings) Compliant
Technology Trench-gate OptiMOS 6 Trench MOSFET, OptiMOS 6
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) — 80 V
Gate-Source Voltage (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max]
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 118 A
Continuous Drain Current (Id) at Ta — 16.7 A
Rds(on) max at Vgs=10V — 3.6 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 3.5 V (max)
Power Dissipation at Tc — 125 W
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55 C to +175 C (junction, Tj)
Configuration — Single N-channel, Source-Down

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध