ISC088N08NM6ATMA1 vs IQE036N08NM6CGATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC088N08NM6ATMA1 tarafından Infineon ve IQE036N08NM6CGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC088N08NM6ATMA1 | IQE036N08NM6CGATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 | OptiMOS 6 |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 C | 12.1 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C | 59 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | 8.8 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25 C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25 C | 71 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 C to +175 C | — |
| Paket | PG-TDSON-8 FL | PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Durumu | Compliant (per distributor listings) | Compliant |
| Technology | Trench-gate OptiMOS 6 | Trench MOSFET, OptiMOS 6 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 80 V |
| Gate-Source Voltage (Vgs) | — | [DATA_NEEDED: Vgs max] |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 118 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | — | 16.7 A |
| Rds(on) max at Vgs=10V | — | 3.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 3.5 V (max) |
| Power Dissipation at Tc | — | 125 W |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 C to +175 C (junction, Tj) |
| Configuration | — | Single N-channel, Source-Down |