ISC088N08NM6ATMA1 vs IQE036N08NM6CGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC088N08NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE036N08NM6CGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISC088N08NM6ATMA1 ISC088N08NM6ATMA1 - 80V 8.8mOhm N-Channel MOSFET | Infineon

ISC088N08NM6ATMA1 - 80V 8.8mOhm N-Channel MOSFET | Infineon

ISC088N08NM6ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IQE036N08NM6CGATMA1 IQE036N08NM6CGATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISC088N08NM6ATMA1 IQE036N08NM6CGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 OptiMOS 6
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 C 12.1 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C 59 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V 8.8 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (PD) at Ta=25 C 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25 C 71 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +175 C —
پیکیج PG-TDSON-8 FL PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS اسٹیٹس Compliant (per distributor listings) Compliant
Technology Trench-gate OptiMOS 6 Trench MOSFET, OptiMOS 6
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) — 80 V
Gate-Source Voltage (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max]
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 118 A
Continuous Drain Current (Id) at Ta — 16.7 A
Rds(on) max at Vgs=10V — 3.6 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 3.5 V (max)
Power Dissipation at Tc — 125 W
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +175 C (junction, Tj)
Configuration — Single N-channel, Source-Down

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں