ISC110N12NM6ATMA1 vs ISC060N10NM6ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC110N12NM6ATMA1 بواسطة Infineon و ISC060N10NM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISC110N12NM6ATMA1 | ISC060N10NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 11 A | 15 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 62 A | 97 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 9.8 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 3.1 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 15.4 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1.1 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 330 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 10 pF | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 94 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta | 3 W | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 185 mJ | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 °C to +175 °C | — |
| العلبة | SuperSO8 (TDSON-8) | PG-TDSON-8 FL (5.15 x 6.15 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 6 100 V |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 25 A |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.3 V (typical) |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 125 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Technology | — | OptiMOS 6 (thin-wafer trench) |
| مستوى MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |