ISC110N12NM6ATMA1 vs ISC060N10NM6ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC110N12NM6ATMA1 द्वारा Infineon और ISC060N10NM6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
ISC060N10NM6ATMA1 - 100V 97A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
ISC060N10NM6ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISC110N12NM6ATMA1 | ISC060N10NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 11 A | 15 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 62 A | 97 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 9.8 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 3.1 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 15.4 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1.1 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 330 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 10 pF | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 94 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta | 3 W | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 185 mJ | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 °C to +175 °C | — |
| पैकेज | SuperSO8 (TDSON-8) | PG-TDSON-8 FL (5.15 x 6.15 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 6 100 V |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 25 A |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.3 V (typical) |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 125 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Technology | — | OptiMOS 6 (thin-wafer trench) |
| MSL स्तर | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |