ISC110N12NM6ATMA1 vs ISC060N10NM6ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC110N12NM6ATMA1 tarafından Infineon ve ISC060N10NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
ISC060N10NM6ATMA1 - 100V 97A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
ISC060N10NM6ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC110N12NM6ATMA1 | ISC060N10NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 11 A | 15 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 62 A | 97 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 9.8 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 3.1 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 15.4 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1.1 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 330 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 10 pF | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 94 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta | 3 W | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 185 mJ | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 °C to +175 °C | — |
| Paket | SuperSO8 (TDSON-8) | PG-TDSON-8 FL (5.15 x 6.15 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 6 100 V |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 25 A |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.3 V (typical) |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 125 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Technology | — | OptiMOS 6 (thin-wafer trench) |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |