ISZ056N03LF2SATMA1 vs ISC009N03LF2SATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISZ056N03LF2SATMA1 بواسطة Infineon و ISC009N03LF2SATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISZ056N03LF2SATMA1 | ISC009N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | StrongIRFET 2 | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 16 A | 43 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 72 A | 341 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.35 V (typ) | 2.35 V (typ) |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 5.6 mOhm | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 52 W | 188 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +175 C | -55 °C to +175 °C (junction, [DATA_NEEDED: exact operating range from datasheet]) |
| العلبة | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) | PG-TDSON-8-62 (SuperSO8 5x6) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Technology | — | OptiMOS™ trench |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 0.9 mΩ |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | 10 V (typical for rated RDS(on)) |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |