ISZ056N03LF2SATMA1 vs ISC009N03LF2SATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISZ056N03LF2SATMA1 tarafından Infineon ve ISC009N03LF2SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
ISZ056N03LF2SATMA1 - 30V 72A N-Ch StrongIRFET 2 MOSFET | Infineon
ISZ056N03LF2SATMA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISZ056N03LF2SATMA1 | ISC009N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | StrongIRFET 2 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 16 A | 43 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 72 A | 341 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.35 V (typ) | 2.35 V (typ) |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 5.6 mOhm | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 52 W | 188 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C | -55 °C to +175 °C (junction, [DATA_NEEDED: exact operating range from datasheet]) |
| Paket | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) | PG-TDSON-8-62 (SuperSO8 5x6) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Technology | — | OptiMOS™ trench |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 0.9 mΩ |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | 10 V (typical for rated RDS(on)) |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |