ISZ072N06NM6ATMA1 vs IQE018N06NM6SCATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISZ072N06NM6ATMA1 بواسطة Infineon و IQE018N06NM6SCATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISZ072N06NM6ATMA1 | IQE018N06NM6SCATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 60V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 57 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 12.7 A | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 7.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V (typ) | — |
| تبديد القدرة (TC=25°C) | 50 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| العلبة | PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) | PG-WHSON-8-1 (5x6 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C ( Tj max 175C ) | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | 1 | — |
| Part Family | — | OptiMOS 6 60 V |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 25 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 178 A |
| On-Resistance RDS(on) Max | — | 1.8 mΩ at VGS=10 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | — | 3.3 V |
| Power Dissipation (TA) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 125 W |
| Lead-Free | — | Yes |