ISZ072N06NM6ATMA1 vs IQE018N06NM6SCATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISZ072N06NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE018N06NM6SCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IQE018N06NM6SCATMA1 IQE018N06NM6SCATMA1 - 60V 1.8mΩ OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6SCATMA1 - 60V 1.8mΩ OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6SCATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISZ072N06NM6ATMA1 IQE018N06NM6SCATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 60V —
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 57 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 12.7 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 7.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V (typ) —
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) 50 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
پیکیج PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) PG-WHSON-8-1 (5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C ( Tj max 175C ) -55 °C to +175 °C (TJ)
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 —
Part Family — OptiMOS 6 60 V
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 178 A
On-Resistance RDS(on) Max — 1.8 mΩ at VGS=10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ — 3.3 V
Power Dissipation (TA) — 2.5 W
Power Dissipation (TC) — 125 W
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں